Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
BS170
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.5А 0.83Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS170_D26Z
Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS170_D27Z
Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS170_D74Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500MA TO-92
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Тип транзистора: N-канальный
BS170_D75Z
Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS250P
Транзистор полевой P-канальный 45В 230мА, 0.7Вт
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 45В
Ток стока макс.: 230мА
Сопротивление открытого канала: 14 Ом
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Входная емкость: 60пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS270
Транзистор полевой N-канальный 60В 400мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 400мА
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 625мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS270_D74Z
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 400 мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
DN3545N3-G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 0.136А 0.74Вт
Производитель: Microchip Technology Inc.
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 450В
Ток стока макс.: 136мА
Мощность макс.: 0.74Вт
Тип транзистора: N-канальный
FQN1N50CTA
Транзистор полевой N-канальный 500В 380мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 380мА
Сопротивление открытого канала: 6 Ом
Мощность макс.: 890мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 6.4нКл
Входная емкость: 195пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQN1N60CTA
Транзистор полевой N-канальный 600В 300мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 300мА
Сопротивление открытого канала: 11.5 Ом
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 6.2нКл
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Through Hole
SSN1N45BTA
Полевой транзистор, N-канальный, 450 В, 500 мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 450В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 4.25 Ом
Мощность макс.: 900мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 8.5нКл
Входная емкость: 240пФ
Тип монтажа: Through Hole
STQ1HNK60R-AP
Транзистор полевой N-канальный 600В 400мА
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 400мА
Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 156пФ
Тип монтажа: Through Hole
STQ1NK60ZR-AP
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.3 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 300мА
Сопротивление открытого канала: 15 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 6.9нКл
Входная емкость: 94пФ
Тип монтажа: Through Hole
STQ2HNK60ZR-AP
Полевой транзистор N-канальный 600В 0.5A 3-Pin TO-92 лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 280пФ
Тип монтажа: Through Hole
STQ3N45K3-AP
Полевой транзистор, N-канальный, 450 В, 600 мА
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 450В
Ток стока макс.: 600мА
Сопротивление открытого канала: 3.8 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 150пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVN0124A
Полевой транзистор, N-канальный, 240 В, 0.16 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 240В
Ток стока макс.: 160мА
Сопротивление открытого канала: 16 Ом
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 85пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVN2110A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 320мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 320мА
Сопротивление открытого канала: 4 Ом
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 75пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVN4210A
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 450 мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 450мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVN4306AV
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 1.1 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.