Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
2SK2649
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 100Вт
Производитель: Fujitsu Microelectronics
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 9A
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2677
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 10А 65Вт
Производитель: Shindengen
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 10A
Мощность макс.: 65Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2766
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7А 80Вт
Производитель: Fujitsu Microelectronics
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 7A
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2847
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 85Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 8A
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3017
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8.5А 90Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 8.5A
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3261
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 10А 60Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 10A
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3528-01R
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21А
Производитель: FUJI Electric
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 21A
Тип транзистора: N-канал
STFW3N170
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1700В 2,3А TO-3PF
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 1700В
Ток стока макс.: 2.3А
Тип транзистора: N-канальный
STFW4N150
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 63Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 1500В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 7 Ом
Мощность макс.: 63Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
2SK1464
Полевой транзистор
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 900
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 2.8 Ом
Тип транзистора: N-канал
2SK2225
Транзистор полевой N-канальный 1500В 2А 50Вт
Производитель: RENESAS Electronics Corp.
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 1500В
Ток стока макс.: 2A
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2320
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8.5А 90Вт
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO3FP
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 8.5A
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2606
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8.5А 85Вт (рекомендуемая замена: TK10J80E, TK10A80E)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 8.5A
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2655
Полевой транзистор
Производитель: Fujitsu Microelectronics
Корпус: TO-3PF
2SK3550
Полевой транзистор, N-канальный, 900В 10А 130Вт
Производитель: Fujitsu Microelectronics
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 10A
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
FKP250A
Транзистор полевой N-канальный 250В 50А 85Вт
Производитель: Sanken Semiconductors
Корпус: TO-3PF
FKP300A
Транзистор полевой N-канальный 300В 30А 85Вт
Производитель: Sanken Semiconductors
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 300В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Входная емкость: 3800пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQAF11N90C
Транзистор полевой N-канальный 900В 7A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 80нКл
Входная емкость: 3290пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQAF13N80
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 120Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 88нКл
Входная емкость: 3500пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQAF16N50
Транзистор полевой N-канальный 500В 11.3A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 11.3A
Сопротивление открытого канала: 320 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 75нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.