Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (85)
FQA13N50CF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 218Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2055пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA13N80_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 12.6A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA160N08 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 160 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 7900пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA170N06 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 170 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 9350пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA19N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 18.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA24N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 23.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 23.5A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 145нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA27N25 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 27 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA28N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 33А 227Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA32N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 204Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2220пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA36P15 Транзистор полевой P-канальный 150В 36А 294Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 3320пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA40N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 40A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA46N15 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3250пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA55N25 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 6250пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA62N25C Транзистор полевой N-канальный 250В 62A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 298Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 6280пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA65N20 Транзистор полевой N-канальный 200В 65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7900пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA6N90C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 198Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA70N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 70A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 175нКл Входная емкость: 5400пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA7N80C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 198Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA8N100C Транзистор полевой N-канальный 1000В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.45 Ом Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"