Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (85)
FCA16N60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 134.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 52.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole
FCA20N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3080пФ Тип монтажа: Through Hole
FCA22N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FCA36N60NF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 34.9A(Tc) Сопротивление открытого канала: 95 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 112нКл @ 10В Входная емкость: 4245пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
FCA47N60F Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 47 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 73 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole
FCA47N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 220нКл @ 10В Входная емкость: 15160пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDA16N50_F109 Транзистор полевой N-канальный 500В 16.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16.5A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1945пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA18N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 265 мОм Мощность макс.: 239Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2860пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA20N50F Транзистор полевой N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 388Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3390пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA24N40F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 3030пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA24N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 4150пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA24N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 200 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 85нКл @ 10В Входная емкость: 4310пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDA38N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA50N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 48 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 625Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 137нКл Входная емкость: 6460пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FDA59N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 392Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 82нКл Входная емкость: 4020пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FDA59N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 59A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4670пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA70N20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 3970пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA10N80C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 240Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQA11N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3290пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"