Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
57
Корпус:
TO262/I2PAK
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (57)
FQI27N25TU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
25.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQI4N80TU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPI029N06NAKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
2.9 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
4100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPI90R500C3XKSA1
Полевой транзистор N-канальный 900В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
IRF1404LPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262-3
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
162A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 95А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
200нКл @ 10В
Входная емкость:
7360пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF2804LPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A TO-220-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
240нКл @ 10В
Входная емкость:
6450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3205ZLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3710LPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
23 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3130пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF5210LPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF540NLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
44 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
71нКл @ 10В
Входная емкость:
1960пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF640NLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
150 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
67нКл @ 10В
Входная емкость:
1160пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF740ALPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF820ALPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF840ALPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF840LCLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF9540NLPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A TO262-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
117 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
1450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFBF20LPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFSL11N50APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-262-3
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1426пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL3006PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
300нКл
Входная емкость:
8970пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL3107PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара