Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
AP9972GR
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 89Вт
Производитель: Advanced Power Electronics Corp.
Корпус: TO-262
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 60A
Мощность макс.: 89Вт
Тип транзистора: N-канал
IPI086N10N3GXKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-262-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 80А
Тип транзистора: N-канальный
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Through Hole
IRF540ZLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A TO-262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-262-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 36A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм @ 22А, 10В
Мощность макс.: 92Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 63нКл @ 10В
Входная емкость: 1770пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
2SK3299
Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус: TO262
Тип транзистора: N-канальный
AUIRF1010ZL
Транзистор полевой N-канальный 55В 75A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 95нКл @ 10В
Входная емкость: 2840пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
AUIRF1405ZL
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 150 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
AUIRF3805L
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 160 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 160A
Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 290нКл
Входная емкость: 7960пФ
Тип монтажа: Through Hole
AUIRFSL4010
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A TO262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 180A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 215нКл @ 10В
Входная емкость: 9575пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
AUIRFSL4115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 99A TO262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 99A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12.1 мОм @ 62А, 10В
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 120нКл @ 10В
Входная емкость: 5270пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
AUIRL1404ZL
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 160 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
BUK7E3R5-60E,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A I2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 293Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 114нКл @ 10В
Входная емкость: 8920пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
BUK7E4R6-60E,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A I2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 234Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 82нКл @ 10В
Входная емкость: 6230пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
BUK9E08-55B,127
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В
Производитель: NEXPERIA
Корпус: I2PAK
BUK9E08-55B,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный TRENCH 55В I2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 203Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Заряд затвора: 45нКл @ 5В
Входная емкость: 5280пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
FCI25N60N_F102
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 25A, 216Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-262
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 25А
Мощность макс.: 216Вт
Тип транзистора: N-канальный
FDI045N10A_F102
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
Мощность макс.: 263Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 74нКл
Входная емкость: 5270пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDI150N10
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 57 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 57A
Сопротивление открытого канала: 16 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 69нКл
Входная емкость: 4760пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQI27N25TU
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 25.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 25.5A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 3.13Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 2450пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQI4N80TU
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 3.9A
Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
Мощность макс.: 3.13Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 880пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPI029N06NAKSA1
Транзистор полевой N-канальный 60В 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 2.9 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 4100пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.