Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (54)
Акция
AP9972GR AP9972GR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 89Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
60A
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
80 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 34,14
Акция
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
126 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 124,44
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
36A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
26.5 мОм @ 22А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1770пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
150 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 133,38
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
126 шт
Цена от:
от 334,80
2SK3299 2SK3299 Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Производитель:
Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус:
TO262
Тип транзистора:
N-канальный
AUIRF1010ZL AUIRF1010ZL Транзистор полевой N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
95нКл @ 10В
Входная емкость:
2840пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF1405ZL AUIRF1405ZL Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 150 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
AUIRF3805L AUIRF3805L Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 160 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
7960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFSL4010 AUIRFSL4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A TO262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
215нКл @ 10В
Входная емкость:
9575пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFSL4115 AUIRFSL4115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 99A TO262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
99A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.1 мОм @ 62А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
5270пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRL1404ZL AUIRL1404ZL Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 160 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
BUK7E3R5-60E,127 BUK7E3R5-60E,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A I2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
293Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
114нКл @ 10В
Входная емкость:
8920пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
BUK7E4R6-60E,127 BUK7E4R6-60E,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A I2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
234Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
82нКл @ 10В
Входная емкость:
6230пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
BUK9E08-55B,127 BUK9E08-55B,127 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
I2PAK
BUK9E08-55B,127 BUK9E08-55B,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный TRENCH 55В I2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
203Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
45нКл @ 5В
Входная емкость:
5280пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FCI25N60N_F102 FCI25N60N_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 25A, 216Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
25А
Мощность макс.:
216Вт
Тип транзистора:
N-канальный
FDI045N10A_F102 FDI045N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
263Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
5270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDI150N10 FDI150N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 57 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
4760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQI27N25TU FQI27N25TU Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 25.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
25.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQI4N80TU FQI4N80TU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.66633 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"