Одиночные MOSFET транзисторы

115
Корпус: TO251/IPAK
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (115)
IRFU9214PBF IRFU9214PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU9220PBF IRFU9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU9310PBF IRFU9310PBF Транзистор полевой P-канальный 400В 1.8А 50Вт, 7.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 42Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLU014PBF IRLU014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLU024PBF IRLU024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLU120 IRLU120 Транзистор полевой N-канальный 100В 10A
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
TO-251
IRLU2905PBF IRLU2905PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
IRLU2905ZPBF IRLU2905ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLU3915PBF IRLU3915PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
1870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLU8259PBF IRLU8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLU8726PBF IRLU8726PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
86A
Сопротивление открытого канала:
5.8 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
2150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLU9343PBF IRLU9343PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 20А 79Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
P-канал
NTD2955-1G NTD2955-1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTD3055L104-1G NTD3055L104-1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
104 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
RFD14N05L RFD14N05L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
RFD3055LE RFD3055LE Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
107 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11.3нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHU3N50D-GE3 SIHU3N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.2 Ом
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
175пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPU02N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO251-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
9.5нКл
Входная емкость:
240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD1NK60-1 STD1NK60-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
156пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70312 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"