Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFU9310PBF
Транзистор полевой P-канальный 400В 1.8А 50Вт, 7.0 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
IRFUC20PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 42Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLU014PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLU024PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLU120
Транзистор полевой N-канальный 100В 10A
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: TO-251
IRLU2905PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42А 110Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 42A
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
IRLU2905ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 42A
Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1570пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLU3915PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 92нКл
Входная емкость: 1870пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLU8259PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 57A
Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLU8726PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 86A
Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм
Мощность макс.: 75Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 2150пФ
Тип монтажа: Through Hole
NTD2955-1G
Транзистор полевой P-канальный 60В 12A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 55Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 750пФ
Тип монтажа: Through Hole
NTD3055L104-1G
Транзистор полевой N-канальный 60В 12A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 104 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 440пФ
Тип монтажа: Through Hole
RFD14N05L
Транзистор полевой N-канальный 50В 14A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Through Hole
RFD3055LE
Транзистор полевой N-канальный 60В 11A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 107 мОм
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 11.3нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHU3N50D-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 3.2 Ом
Мощность макс.: 69Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 175пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPU02N60S5
Транзистор полевой N-канальный 600В 1.8A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 9.5нКл
Входная емкость: 240пФ
Тип монтажа: Through Hole
STD1NK60-1
Транзистор полевой N-канальный 600В 1A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 156пФ
Тип монтажа: Through Hole
STD1NK80Z-1
Транзистор полевой N-канальный 800В 1A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 16 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 7.7нКл
Входная емкость: 160пФ
Тип монтажа: Through Hole
STD2HNK60Z-1
Транзистор полевой N-канальный 600В 2A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 280пФ
Тип монтажа: Through Hole
STD3NK60Z-1
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2.4 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 11.8нКл
Входная емкость: 311пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.