Одиночные MOSFET транзисторы

₁₁₅

Корпус: TO251/IPAK

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1905)
Surface Mount (3539)
Chassis Mount (9)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (115)

IRFU1N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

7 Ом

Мощность макс.:

36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

229пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU210PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU214PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU220NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFU220PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.8А 42Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

4.8A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFU310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU320PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1А 42Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

1.8 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1690пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56А 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

3070пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU3910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU4105ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 55В 30A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFU420APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3А 83Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU420PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU4510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

13.9 мОм

Мощность макс.:

143Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

81нКл

Входная емкость:

3031пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU5410PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

205 мОм

Мощность макс.:

66Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU5505PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

57Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU9014PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU9020PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 9.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

50В

Ток стока макс.:

9.9A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

42Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 1.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.9нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70312 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"