Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
AP40T03GJ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 28А 31Вт
Производитель: Advanced Power Electronics Corp.
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 28A
Мощность макс.: 31Вт
Тип транзистора: N-канал
AP4435GJ
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 40 А, 44 Вт
Производитель: Advanced Power Electronics Corp.
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 40A
Мощность макс.: 44 Вт
Тип транзистора: P-канал
AP9561GJ
Транзистор полевой P-канальный 40В 45А 54Вт
Производитель: Advanced Power Electronics Corp.
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 45A
Мощность макс.: 54 Вт
Тип транзистора: P-канал
FQU10N20CTU
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 7.8A
Сопротивление открытого канала: 360 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU11P06TU
Транзистор полевой P-канальный 60В 9.4A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 9.4A
Сопротивление открытого канала: 185 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 550пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU13N06LTU
Транзистор полевой N-канальный 60В 11A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 115 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 6.4нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU1N60CTU
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 11.5 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 6.2нКл
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU20N06LTU
Транзистор полевой N-канальный 60В 17.2A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 17.2A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 630пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU2N100TU
Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 1.6A
Сопротивление открытого канала: 9 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 15.5нКл
Входная емкость: 520пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU2N60CTU
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 1.9A
Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 235пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU3N50CTU
Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 365пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU5N40TU
Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 3.4 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 3.4A
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 460пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU5N60CTU
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.8A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPU50R1K4CEAKMA1
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3.1 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3.1A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IRFU014PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU024PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU110PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU120PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU1N60APBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 1.4A
Сопротивление открытого канала: 7 Ом
Мощность макс.: 36Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 229пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU210PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 2.6A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.