Одиночные MOSFET транзисторы

115
Корпус: TO251/IPAK
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (115)
Акция
AP40T03GJ AP40T03GJ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 28А 31Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
28A
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
AP4435GJ AP4435GJ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 40 А, 44 Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Мощность макс.:
44 Вт
Тип транзистора:
P-канал
AP9561GJ AP9561GJ Транзистор полевой P-канальный 40В 45А 54Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
45A
Мощность макс.:
54 Вт
Тип транзистора:
P-канал
FDU3N40TU FDU3N40TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2A IPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FQU10N20CTU FQU10N20CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU11P06TU FQU11P06TU Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU13N06LTU FQU13N06LTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU17P06TU FQU17P06TU Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12A IPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FQU1N60CTU FQU1N60CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
11.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU20N06LTU FQU20N06LTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17.2A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU2N100TU FQU2N100TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15.5нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU2N60CTU FQU2N60CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
4.7 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU3N50CTU FQU3N50CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
365пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU5N40TU FQU5N40TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3.4A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU5N60CTU FQU5N60CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPU50R1K4CEAKMA1 IPU50R1K4CEAKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.1A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO251
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3.1A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU014PBF IRFU014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU024PBF IRFU024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU110PBF IRFU110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.3нКл
Входная емкость:
180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU120PBF IRFU120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70312 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"