Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (772)
STP3NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.7нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Through Hole
STP40NF10 Транзистор полевой N-канальный 100В 50A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB
STP5NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Through Hole
STP60NF06FP Полевой транзистор N-канальный 60В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 30А, 10В Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 66нКл @ 10В Входная емкость: 1810пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
STP6N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 5.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 875пФ Тип монтажа: Through Hole
STP7NK40ZFP Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 5.4 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 535пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80NF06 Транзистор полевой N-канальный 60В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80NF55-06 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 189нКл Входная емкость: 4400пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80NF55-06FP Транзистор полевой N-канальный 55В 60A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 189нКл Входная емкость: 4400пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80NF55L-06 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 136нКл Входная емкость: 4850пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80NF70 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 68В 98A TO-220AB Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 68В Ток стока макс.: 98A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9.8 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 75нКл @ 10В Входная емкость: 2550пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
STP8NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 790 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 364пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STP95N4F3 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
STP9NK70ZFP Полевой транзистор, N-канальный, 700 В, 7.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 700В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1370пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP57N20-33-E3 Транзистор полевой N-канальный 200В 57A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5100пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP85N10-10-E3 Транзистор полевой N-канальный 100В 85A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 6550пФ Тип монтажа: Through Hole
Новинка SUP85N15-21-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP90N06-6M0P-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 90A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP90P06-09L-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 90A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Through Hole
TK100A06N1,S4X(S Транзистор полевой N-канальный 60В 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 263A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"