Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (773)
STF2N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 95пФ Тип монтажа: Through Hole
STF2N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 105пФ Тип монтажа: Through Hole
STF30N10F7 MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 24 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 19нКл @ 10В Входная емкость: 1270пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
STF31N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 22 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F
STF33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Through Hole
STF34N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 29 А, 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650V Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 110 mOhm Мощность макс.: 30W Тип транзистора: N-Channel Пороговое напряжение включения макс.: 5V Заряд затвора: 70nC Входная емкость: 2590pF Тип монтажа: Through Hole
STF34NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 29A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Through Hole
STF38N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 30A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
STF3N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 2.7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 385пФ Тип монтажа: Through Hole
STF3N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Through Hole
STF3NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 2.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 601пФ Тип монтажа: Through Hole
STF40N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 34A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 34A(Tc) Сопротивление открытого канала: 88 мОм @ 17А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 57нКл @ 10В Входная емкость: 2500пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STF40NF06 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 23 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Through Hole
STF40NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 40A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Through Hole
STF45N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 35A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 3375пФ Тип монтажа: Through Hole
STF4N62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 3.8 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
STF4N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 3A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Through Hole
STF57N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 42A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Through Hole
STF5N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 3.7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом @ 1.85А, 10В Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 4.5нКл @ 10В Входная емкость: 165пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STF5N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 4.2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"