Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
SPA08N80C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 800В 8A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 650 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPA15N60CFDXKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 330мОм 63нКл TO-220-3FP
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Сопротивление открытого канала: 330мОм
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SPA16N50C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 560В 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 560В
Ток стока макс.: 16A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
STF10N60M2
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 7.5A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 13.5нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF10N65K3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 10 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1180пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF10N95K5
Транзистор полевой N-канальный 950В 8A TO-220FP
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 8A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 800 мОм @ 4А, 10В
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA
Заряд затвора: 22нКл @ 10В
Входная емкость: 630пФ @ 100В
Тип монтажа: Through Hole
STF110N10F7
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 45A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 5117пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF11N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 9A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 480 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 644пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF11NM50N
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8.5A
Сопротивление открытого канала: 470 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 547пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF11NM60ND
Транзистор полевой N-канальный 600В 10A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 850пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF12N120K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.: 1200В
Ток стока макс.: 12А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
STF12N65M2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8A TO-220FP
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220FP
STF12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 8.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 430 мОм @ 4.3А, 10В
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 22нКл @ 10В
Входная емкость: 900пФ @ 100В
Тип монтажа: Through Hole
STF12NK65Z
Полевой транзистор, N-канальный, 650В 10А 35вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
STF13N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В 11A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 580пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF13N80K5
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 12 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF13NM60ND
Транзистор полевой N-канальный 600В 11A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 24.5нКл
Входная емкость: 845пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF15N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 11A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 340 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 816пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF15N95K5
Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 12 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 500 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF15NM60ND
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 14A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 299 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1250пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.