Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
PSMN4R4-80PS,127
Транзистор полевой N-канальный 80В 100A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм
Мощность макс.: 306Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 125нКл
Входная емкость: 8400пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN4R5-40PS,127
Транзистор полевой N-канальный 40В 100A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм
Мощность макс.: 148Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42.3нКл
Входная емкость: 2683пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN8R0-40PS,127
Транзистор полевой N-канальный 40В 77A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 77A
Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм
Мощность макс.: 86Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 21нКл
Входная емкость: 1262пФ
Тип монтажа: Through Hole
RFP12N10L
Транзистор полевой N-канальный 100В 12A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Through Hole
SFS9630
Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 4.4 А, 35 Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
SIHF12N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 937пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF12N65E-GE3
Транзистор полевой N-канальный 650В 12A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1224пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF15N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 15 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 34Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF22N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 86нКл
Входная емкость: 1920пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF30N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 2600пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF5N50D-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5.3A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 325пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF6N40D-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 6A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Full Pack
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 311пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF8N50D-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8.7A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 527пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHP12N60E-GE3
Транзистор полевой N-канальный 600В 12A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 147Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 937пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHP15N60E-GE3
Транзистор полевой N-канальный 600В 15A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 180Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHP18N50C-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 223Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 76нКл
Входная емкость: 2942пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHP22N60E-GE3
Транзистор полевой N-канальный 600В 21A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 227Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 86нКл
Входная емкость: 1920пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPA04N60C3
Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5А 31Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 31Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPA04N60C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5А 31Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 4.5A
Мощность макс.: 31Вт
Тип транзистора: N-канал
SPA06N80C3XKSA1
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 900 мОм
Мощность макс.: 39Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 785пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.