Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
JCS10N60FT
Транзистор полевой N-канальный 600В 9.5А 50Вт
Производитель: JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9.5A
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
JMH65R190ACFP-U
Транзистор полевой MOSFET силовой 650В 20A 170мОм
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20А
Сопротивление открытого канала: 170мОм
M12N70F
Транзистор полевой N-канальный 700В 12А 40Вт
Производитель: Noname
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 700В
Ток стока макс.: 12А
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
MMF60R580P
Транзистор полевой N-канальный 600В 8А 26Вт
Производитель: Magna Chip
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 8A
Мощность макс.: 26Вт
Тип транзистора: N-канал
MTP3055VL
Транзистор полевой N-канальный 60В 12A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 570пФ
Тип монтажа: Through Hole
NDF06N60ZG
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.1 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 7.1A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 47нКл
Входная емкость: 1107пФ
Тип монтажа: Through Hole
NDP6060
Транзистор полевой N-канальный 60В 48A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 48A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Through Hole
NDP6060L
Транзистор полевой N-канальный 60В 48A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 48A
Сопротивление открытого канала: 20 мОм
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 2000пФ
Тип монтажа: Through Hole
NDP7060
Транзистор полевой N-канальный 60В 75A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 13 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 115нКл
Входная емкость: 3600пФ
Тип монтажа: Through Hole
NTP2955G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.4A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 196 мОм
Мощность макс.: 2.4Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Through Hole
PHP18NQ10T,127
Транзистор полевой N-канальный 100В 18A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 79Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 21нКл
Входная емкость: 633пФ
Тип монтажа: Through Hole
PHP20NQ20T,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 130 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 2470пФ
Тип монтажа: Through Hole
PHP45NQ10T,127
Транзистор полевой N-канальный 100В 47A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 47A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 2600пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN009-100P,127
Транзистор полевой N-канальный 100В 75A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 156нКл
Входная емкость: 8250пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN015-100P,127
Транзистор полевой N-канальный 100В 75A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 90нКл
Входная емкость: 4900пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN015-60PS,127
Транзистор полевой N-канальный 60В 50A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 14.8 мОм
Мощность макс.: 86Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20.9нКл
Входная емкость: 1220пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN034-100PS,127
Транзистор полевой N-канальный 100В
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 32A
Сопротивление открытого канала: 34.5 мОм
Мощность макс.: 86Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 23.8нКл
Входная емкость: 1201пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN1R1-30PL,127
Транзистор полевой N-канальный 30В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм
Мощность макс.: 338Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 243нКл
Входная емкость: 14850пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN1R8-30PL,127
Транзистор полевой N-канальный 30В
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм
Мощность макс.: 270Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В
Заряд затвора: 170нКл
Входная емкость: 10180пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN3R5-80PS,127
Транзистор полевой N-канальный 80В 120A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм
Мощность макс.: 338Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 139нКл
Входная емкость: 9961пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.