Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (773)
IRF644PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 14А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2А 36Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF720PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.3А 50Вт, 1.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 410пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF730APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5А 74Вт, 1 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF740APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF740LCPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 10A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 134Вт, 0.54 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF820PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5А 50Вт, 3 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF830APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 74Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF830PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 74Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF840APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1018пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF840LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF840PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 125Вт, 0.85 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9510PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4А 20Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9520PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A. 40Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF9530PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12А 88Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9540 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19А Тип транзистора: P-канальный
IRF9540PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19А 150Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9610PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 60Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"