Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
HUF75545P3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 270Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 235нКл
Входная емкость: 3750пФ
Тип монтажа: Through Hole
HUF75639P3
Транзистор полевой N-канальный 100В 56A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 56A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 2000пФ
Тип монтажа: Through Hole
HUF75645P3
Транзистор полевой N-канальный 100В 75A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 310Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 238нКл
Входная емкость: 3790пФ
Тип монтажа: Through Hole
HUF76423P3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 1060пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPA030N10N3GXKSA1
Полевой транзистор N-канальный 100В 79A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 79A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Through Hole
IPA057N06N3GXKSA1
Транзистор полевой N-канальный 60В 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 60A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPA50R140CPXKSA1
Транзистор полевой N-канальный 550В 23A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 23A
Сопротивление открытого канала: 140 мОм
Мощность макс.: 34Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 64нКл
Входная емкость: 2540пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPA50R199CPXKSA1
Полевой транзистор N-канальный 500В 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
IPA60R099C6XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 37.9A
Сопротивление открытого канала: 99 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 119нКл
Входная емкость: 2660пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPA60R160C6XKSA1
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 23.8 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 23.8A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 34Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 75нКл
Входная емкость: 1660пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPA60R160P6XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.8A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPA60R190P6XKSA1
Полевой транзистор N-канальный 600В 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 20.2A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 34Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 37нКл
Входная емкость: 1750пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPA60R199CPXKSA1
Полевой транзистор N-канальный 600В 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 199 мОм
Мощность макс.: 34Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 1520пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPA60R600P6XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 4.9A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 28Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 557пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPA60R750E6XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5.7A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 27Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 17.2нКл
Входная емкость: 373пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPA60R950C6XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 4.4A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 26Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 280пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPA65R045C7XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 18A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPA65R125C7XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 10A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPA65R190C7XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 8A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPA65R225C7XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.