Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (773)
FQPF20N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF20N06L Транзистор полевой N-канальный 60В 15.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15.7A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 630пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF22P10 Полевой транзистор P-канальный 100В 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.2A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQPF22P10T Транзистор полевой P-канальный 100В 13А 45Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Мощность макс.: 45 Вт Тип транзистора: P-канал
FQPF27P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 47Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF2N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом Мощность макс.: 23Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF2N80YDTU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 6.3 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF33N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF33N10L Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF3N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 705пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF47P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 30A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF4N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4А 47Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 4.2 Ом Мощность макс.: 47Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF5N40 Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF5N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF5N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5А 33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF5N90 Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF630 Транзистор полевой N-канальный 200В 6.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQPF65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40А 56Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQPF6N60C Транзистор полевой N-канальный 600В 5.5А 40Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 810пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6А 56Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"