Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
FDP42AN15A0
Транзистор полевой N-канальный 150В 35A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 42 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 39нКл
Входная емкость: 2150пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF10N60NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 38Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1475пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF12N50FT
Транзистор полевой N-канальный 500В 11.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 11.5A
Сопротивление открытого канала: 700 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1395пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF12N50UT
Полевой транзистор, N-канальный, 500В 10А 42Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1395пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF15N65
Транзистор полевой N-канальный 650В 15A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 440 мОм
Мощность макс.: 38.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 3095пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF16N50
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 16 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 38.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1945пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF18N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A TO-220F, 38Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 18А
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
FDPF18N50T
Транзистор полевой N-канальный 500В 18A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 265 мОм
Мощность макс.: 38.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 2860пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF20N50FT
Транзистор полевой N-канальный 500В 20A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 260 мОм
Мощность макс.: 38.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 3390пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF3860T
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 38.2 мОм
Мощность макс.: 33.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF39N20
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 39А 0066 Ом, 37Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 39A
Сопротивление открытого канала: 66 мОм
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 2130пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF3N50NZ
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 27Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 9нКл
Входная емкость: 280пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF44N25T
Транзистор полевой N-канальный 250В 44A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 44A
Сопротивление открытого канала: 69 мОм
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 2870пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF4N60NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.8A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.8A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 28Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 10.8нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF51N25
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 28А 33Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 28А
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канальный
FDPF51N25
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 28А 33Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 28А
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канальный
FDPF55N06
Транзистор полевой N-канальный 60В 55A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 55A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 37нКл
Входная емкость: 1510пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF5N50NZ
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 4.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 440пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF5N50T
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 28Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF5N50UT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 35Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 28Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 650пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.