Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (494)
IRF1010ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
25 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 129,69
IRF3007PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм @ 48А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3270пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
97 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 167,82
IRF520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7А 48Вт, 0.20 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
2 042 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 50,22
IRF530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
5 062 шт

Под заказ:
2 425 шт
Цена от:
от 32,94
IRF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9А 74Вт, 0.4 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
538 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 75,86
IRFB23N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 170Вт, 0.1 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
57 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 329,00
IRFB3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
627 шт

Под заказ:
5 200 шт
Цена от:
от 56,17
IRFB3507PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 97А 190Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 97A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
264 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 105,78
IRFB4137PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 38A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 341Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 5168пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
173 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 377,48
IRFB42N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 44А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3430пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
108 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 154,12
IRFB4310ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 250Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6860пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 526 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 120,34
IRFB4610PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73А 190Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 73A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3550пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
183 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 158,92
IRL1004PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 130А 200Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 5330пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
95 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 142,67
IRL3103PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56А 83Вт, 0.014 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 64A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1650пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
125 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 216,98
IRL3705NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77А 130Вт, 0.01 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 89A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
804 шт

Под заказ:
10 000 шт
Цена от:
от 84,14
IRL3803PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 150Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
248 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 145,22
IRLB3034PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 162нКл Входная емкость: 10315пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
15 шт

Под заказ:
6 260 шт
Цена от:
от 97,41
IRLB3036PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 190А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 11210пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
146 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 345,45
IRLB8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 78A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 78A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 5110пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
311 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 88,57
Акция SPP06N80C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
158 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 504,68
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"