Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
STP13N95K3
Транзистор полевой N-канальный 950В 10A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 1620пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP13NM60ND
Транзистор полевой N-канальный 600В 11A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 109Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 24.5нКл
Входная емкость: 845пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP140N8F7
Транзистор полевой N-канальный 80В 90A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 90A
Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 96нКл
Входная емкость: 6340пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP150N10F7
Транзистор полевой N-канальный 100В 110A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 110A
Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 117нКл
Входная емкость: 8115пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP150NF55
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 120 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 6 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 190нКл
Входная емкость: 4400пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP15N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 11A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 340 мОм
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 810пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP15N80K5
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 14 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 375 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP15N95K5
Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 12 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 500 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP15NK50Z
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 340 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 106нКл
Входная емкость: 2260пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP160N75F3
Транзистор полевой N-канальный 75В 120A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 85нКл
Входная емкость: 6750пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP18N55M5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 13А 90Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 550В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 192 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 1260пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP18N60M2
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 21.5нКл
Входная емкость: 791пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP18N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 15A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 220 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 1240пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP18NM60ND
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
STP20N65M5
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 18 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1345пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP20N90K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 20А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
STP210N75F6
Транзистор полевой N-канальный 75В 120А 300Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 171нКл
Входная емкость: 11800пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP21NM50N
Транзистор полевой N-канальный 550В 18А 140Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 1950пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP23NM50N
Транзистор полевой N-канальный 500В 17A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1330пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP24N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В 18A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 1060пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.