Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (494)
SPP11N60S5XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 1460пФ Тип монтажа: Through Hole
SPP12N50C3XKSA1 Полевой транзистор N-канальный 500В 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция SPP15N65C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 15А 156Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
SPP20N60CFDXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 200Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 124нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
SPP21N50C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
SPP24N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24.3A TO-220 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24.3A(Tc) Сопротивление открытого канала: 160 мОм @ 15.4А, 10В Мощность макс.: 240Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 1.2mA Заряд затвора: 135нКл @ 10В Входная емкость: 3000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
STP100N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4369пФ Тип монтажа: Through Hole
STP10LN80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
STP10N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
STP10P6F6 Транзистор полевой P-канальный 60В 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole
STP110N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 110A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Through Hole
STP11N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 9 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 644пФ Тип монтажа: Through Hole
STP11NM60FD Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole
STP11NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STP120N4F6 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Through Hole
STP12N120K5 MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 12А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
STP12NK80Z Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 10.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 2620пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STP12PF06 Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220
STP13N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 580пФ Тип монтажа: Through Hole
STP13N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"