Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
NDP6020P
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 24 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1590пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN027-100PS,127
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 37A
Сопротивление открытого канала: 26.8 мОм
Мощность макс.: 103Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1624пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN2R0-30PL,127
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм
Мощность макс.: 211Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В
Заряд затвора: 117нКл
Входная емкость: 6810пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN7R6-60PS,127
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 92 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220
RFP50N06
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 0.022 Ом 131Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 131Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 2020пФ
Тип монтажа: Through Hole
RFP70N06
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 70А 60В, 150Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 156нКл
Входная емкость: 2250пФ
Тип монтажа: Through Hole
SFP9530
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 10.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 10.5A
Сопротивление открытого канала: 300 мОм
Мощность макс.: 66Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1035пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHFB20N50K-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А TO220AB
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 20А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SIHP14N50D-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 1144пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHP24N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 145 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 122нКл
Входная емкость: 2740пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHP30N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 2600пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHP5N50D-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5.3A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 325пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHP7N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 78Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 680пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP02N60C3XKSA1
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 1.8 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 12.5нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP03N60C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP04N50C3XKSA1
Полевой транзистор N-канальный 500В 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.5A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
SPP04N60C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPP04N80C3XKSA1
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 4 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом
Мощность макс.: 63Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 570пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP07N60C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO220-3
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7.3A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 790пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP08P06PHXKSA1
Полевой транзистор P-канальный 60В 8.8A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8.8A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.