Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (494)
IRL630PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220
IRL640A Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
IRL640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
IRL8113PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 105A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLI530GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLI640GPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9.9A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLIZ14GPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 8A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLZ14PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
IXTP02N120P Транзистор полевой MOSFET силовой N-канальный 1200 В 75 Ом 33 Вт монтаж на фланец Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Сопротивление открытого канала: 75Ом Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: силовой
IXTP10P50P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 10A TO-220 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 5А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 50нКл @ 10В Входная емкость: 2840пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXTP3N50D2 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный
JMH65R190AC-U Транзистор полевой MOSFET силовой 650В 20A 170мОм Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20А Сопротивление открытого канала: 170мОм
JMSH1207AC-U Транзистор полевой MOSFET силовой 120В 112A 5.9мОм N-канальный Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 112А Сопротивление открытого канала: 5.9мОм Тип транзистора: N-канальный
JMSH1509AC-U Транзистор полевой MOSFET силовой 150В 90A 9мОм N-канальный Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 90А Сопротивление открытого канала: 9МОм Тип транзистора: N-канальный
Новинка JMSL0606AC-U Транзистор полевой MOSFET силовой 60В 115A 5.2мОм N-канальный Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 0.115А Сопротивление открытого канала: 5.2мОм Тип транзистора: N-канальный
JMTC060N06A Транзистор полевой MOSFET силовой N-канальный 60В 120A 6мОм Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120А Сопротивление открытого канала: 6мОм Тип транзистора: N-канальный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
118 шт
Цена от:
от 54,41
JMTC3003A Транзистор полевой MOSFET силовой N-канальный 30В 150A 3.3мОм Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 150А Сопротивление открытого канала: 3.4мОм Тип транзистора: N-канальный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
260 шт
Цена от:
от 78,13
KF50N06P Транзистор полевой N-канальный 60В 50А 96Вт Производитель: Korea Electronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал
Акция MTP2P50EG Полевой транзистор, P-канальный, 500 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1183пФ Тип монтажа: Through Hole
NDFPD1N150CG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 100MA TO220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 1500В (1.5kВ) Ток стока макс.: 100мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 150 Ом @ 50mА, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 4.2нКл @ 10В Входная емкость: 80пФ @ 30В Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"