Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFI530GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9.7A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 33нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI540GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 1700пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI630GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5.9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI720GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 2.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 2.6A
Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 410пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI740GLCPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 5.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 5.7A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 39нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI9520GPBF
Транзистор полевой P-канальный 100В 5.2A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5.2A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 390пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI9Z34GPBF
Транзистор полевой P-канальный 60В 12A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 140 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIBC30GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.5A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 660пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIBE20GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 1.4A
Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 530пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ14GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 27Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ24GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ34GPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 20A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ44GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 2500пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ48GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 37A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFZ44VZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A TO-220AB
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 57A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.: 92Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 65нКл @ 10В
Входная емкость: 1690пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IRL2703PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 45Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL3803VPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 140А 200Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 140A
Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 76нКл
Входная емкость: 3720пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL40B209
Транзистор полевой N-канальный 40В 195А 375Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195А
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IRL520PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9.2 А,
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL620PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.2 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.