Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRF820APBF
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF830APBF-BE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 3-Pin TO-220AB - рейка/туба
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IRF9622PBF
Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А, 40 Вт, 1.5 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
IRF9Z20PBF
Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 9.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 9.7A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 480пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF9Z24PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11А 60Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 570пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF9Z34PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18А 88Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 140 мОм
Мощность макс.: 88Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB11N50APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А 170Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 520 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 1423пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB13N50APBF
Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 250Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 81нКл
Входная емкость: 1910пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB3307PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 130 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 130A
Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 5150пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB4110GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A TO220AB
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 210нКл @ 10В
Входная емкость: 9620пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
IRFB4115PBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 104А 380Вт
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: TO-220
IRFB41N15DPBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 41A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
IRFB4233PBF
Транзистор полевой N-канальный 230В 56А 370Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 230В
Ток стока макс.: 56A
Сопротивление открытого канала: 37 мОм
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 170нКл
Входная емкость: 5510пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB61N15DPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 60А 330Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 32 мОм
Мощность макс.: 2.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 3470пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB7440GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO220AB
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA
Заряд затвора: 135нКл @ 10В
Входная емкость: 4730пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IRFBC30APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBC40LCPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.2 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 39нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI3306GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 71A TO220
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 71A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 43А, 10В
Мощность макс.: 46Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 135нКл @ 10В
Входная емкость: 4685пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
IRFI510GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4.5 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 27Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI520GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.2 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.2A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.