Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
2N7002BKM,315 Полевой транзистор N-канальный 60В 0.45A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 450мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSS84AKM,315 Транзистор полевой P-канальный 50В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 340мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.35нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSS84AKMB,315 Транзистор полевой P-канальный 50В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.35нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2005LP4K-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 200мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом @ 10mА, 4В Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ @ 100 µA Входная емкость: 41пФ @ 3В Тип монтажа: Surface Mount
DMN2005LPK-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.44A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 440мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 450мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Тип монтажа: Surface Mount
DMN2300UFB4-7B Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 470мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 1.6нКл Входная емкость: 64.3пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2600UFB-7 Транзистор полевой N-канальный 25В 1.3A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 540мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.85нКл Входная емкость: 70.13пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN26D0UFB4-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.24A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Входная емкость: 14.1пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN32D2LFB4-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 0.3A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 300мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом @ 100mА, 4В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Входная емкость: 39пФ @ 3В Тип монтажа: Surface Mount
DMP21D0UFB4-7B Транзистор полевой P-канальный 20В 1.17A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 770мА Сопротивление открытого канала: 495 мОм Мощность макс.: 430мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 1.54нКл Входная емкость: 80пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP21D5UFB4-7B Транзистор полевой P-канальный 20В 0.7A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 970 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 500нКл Входная емкость: 46.1пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP31D0UFB4-7B Транзистор полевой P-канальный 30В 540мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 540мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 0.9нКл Входная емкость: 76пФ Тип монтажа: Surface Mount
DSS2515M-7B Биполярный транзистор NPN 15V 0.5A DFN1006-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883
NTNS3A65PZT5G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 235 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 281мА Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 155мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.1нКл Входная емкость: 44пФ Тип монтажа: Surface Mount
NX3008PBKMB,315 Полевой транзистор P-канальный 30В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 4.1 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 0.72нКл Входная емкость: 46пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMZ1000UN,315 Транзистор полевой N-канальный 30В 0.48A 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 480мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 0.89нКл Входная емкость: 43пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMZB290UNE,315 Полевой транзистор N-канальный 20В 1A 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 0.68нКл Входная емкость: 83пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMZB350UPE,315 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 1.9нКл Входная емкость: 127пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"