Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (29)
AO7800 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 0.9А Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
BSD316SNH6327 Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4A Aвтомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
BSS138DW-7-F Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 200 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSS8402DW-7-F Транзистор полевой N/P-канальный 60В/50В 0.115A/0.13A Aвтомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 60В/50В Ток стока макс.: 0.115A/0.13A Тип транзистора: N/P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
BSS84DW-7-F Транзистор полевой P-канальный 50В 0.13A Aвтомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 0.13A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
DMN2004DWK-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 0.54A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 540мА Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
FDG311N Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG312P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG315N Транзистор полевой N-канальный 30В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG316P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG327N Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 380мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6.3нКл Входная емкость: 423пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG327NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 380мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 412пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG328P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 145 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 337пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG332PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10.8нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount
MIC94053YC6-TR Транзистор полевой MOSFET Р-канальный серия MIC94053 6В 84мОм 270мВт Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT-363
NTJS3151PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция NTJS3151PT2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.7A(Ta) Сопротивление открытого канала: 60 мОм @ 3.3А, 4.5В Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ @ 100 µA Заряд затвора: 8.6нКл @ 4.5В Входная емкость: 850пФ @ 12В Тип монтажа: Surface Mount
NTJS3157NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция NTJS4151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.3А 0.1Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTJS4405NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"