Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (29)
AO7800 AO7800 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
0.9А
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
BSD316SNH6327 BSD316SNH6327 Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4A Aвтомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS138DW-7-F BSS138DW-7-F Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 200 мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Транзистор полевой N/P-канальный 60В/50В 0.115A/0.13A Aвтомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
60В/50В
Ток стока макс.:
0.115A/0.13A
Тип транзистора:
N/P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS84DW-7-F BSS84DW-7-F Транзистор полевой P-канальный 50В 0.13A Aвтомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
0.13A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN2004DWK-7 DMN2004DWK-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 0.54A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
540мА
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG311N FDG311N Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
4.5нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG312P FDG312P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG315N FDG315N Транзистор полевой N-канальный 30В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG316P FDG316P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
165пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG327N FDG327N Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
380мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6.3нКл
Входная емкость:
423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG327NZ FDG327NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
380мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
412пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG328P FDG328P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
337пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG332PZ FDG332PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10.8нКл
Входная емкость:
560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
MIC94053YC6-TR MIC94053YC6-TR Транзистор полевой MOSFET Р-канальный серия MIC94053 6В 84мОм 270мВт
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT-363
NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 2.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
400mВ
Заряд затвора:
8.6нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
NTJS3151PT2G NTJS3151PT2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.7A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
60 мОм @ 3.3А, 4.5В
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
400mВ @ 100 µA
Заряд затвора:
8.6нКл @ 4.5В
Входная емкость:
850пФ @ 12В
Тип монтажа:
Surface Mount
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.3А 0.1Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTJS4405NT1G NTJS4405NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"