Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (73)

SI3410DV-T1-GE3 Полевой транзистор N-канальный 30В 8A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм Мощность макс.: 4.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3424CDV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3430DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100V Ток стока макс.: 1.8A (Ta) Сопротивление открытого канала: 170 mOhm @ 2.4A, 10V Мощность макс.: 1.14W Тип транзистора: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2V @ 250 µA (Min) Заряд затвора: 6.6nC @ 10V Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3433CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3437DV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3440DV-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 1.2A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 1.14Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3440DV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 150В 1.2A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 1.14Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3442BDV-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 20В 3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 57 мОм Мощность макс.: 860мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI3443BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.4А 1.1Вт Производитель: Vishay Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 9нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3443CDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 5.97A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.97A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12.4нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3443CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 5.97А 2Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.97A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12.4нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3456DDV-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.3 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3457CDV-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.1 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3457CDV-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.1 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 3.2A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3459BDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 216 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3459BDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 216 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3460DDV-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 666пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3473CDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3473CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"