Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
SI2343CDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5.9A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 21нКл
Входная емкость: 590пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2356DS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 4.3A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 40V
Ток стока макс.: 4.3A (Tc)
Сопротивление открытого канала: 51 mOhm @ 3.2A, 10V
Мощность макс.: 1.7W
Тип транзистора: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5V @ 250 µA
Заряд затвора: 13nC @ 10V
Входная емкость: 370pF @ 20V
Тип монтажа: Surface Mount
SI2365EDS-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.9 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 5.9A
Сопротивление открытого канала: 32 мОм
Мощность макс.: 1.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 36нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI2366DS-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 30В 5.8A SOT-23
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5.8A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 36 мОм @ 4.5А, 10В
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 10нКл @ 10В
Входная емкость: 335пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
SI2369DS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.6A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-236
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7.6A
Сопротивление открытого канала: 29 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 1295пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2372DS-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 4 А, 1.7 Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
SI2374DS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.5A 3-Pin TO-236 лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 960мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±8В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 735пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI2377EDS-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.4A
Сопротивление открытого канала: 61 мОм
Мощность макс.: 1.8Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 21нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI2393DS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.5А
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7.5А
Тип транзистора: P-канальный
SI2399DS-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 34 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 835пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SN7002NH6327
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.2A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 0.2A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
SN7002NH6433XTMA1
Полевой транзистор N-канальный 60В 0.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 0.2A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
SQ2310ES-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-236
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 8.5нКл
Входная емкость: 485пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SQ2351ES-T1_GE3
Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.2A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
SQ2364EES-T1_GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В SOT-23
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
SSM3K333R,LF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 6А
Тип транзистора: N-канальный
TN2404K-T1-E3
Транзистор полевой N-канальный 240В 200мА
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 240В
Ток стока макс.: 200мА
Сопротивление открытого канала: 4 Ом
Мощность макс.: 360мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8нКл
Тип монтажа: Surface Mount
TN2404K-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 240В 200мА
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 240В
Ток стока макс.: 200мА
Сопротивление открытого канала: 4 Ом
Мощность макс.: 360мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8нКл
Тип монтажа: Surface Mount
TP0610K-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 185мА
Сопротивление открытого канала: 6 Ом
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 1.7нКл
Входная емкость: 23пФ
Тип монтажа: Surface Mount
TP0610K-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 185мА
Сопротивление открытого канала: 6 Ом
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 1.7нКл
Входная емкость: 23пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.