Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (486)

DMP3056L-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.3A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.38Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 11.8нКл Входная емкость: 642пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

DMP3098L-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1.08Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Входная емкость: 336пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP3099L-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 3.8A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.08Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 5.2нКл Входная емкость: 563пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP3099L-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.08Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 5.2нКл Входная емкость: 563пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP3130L-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 3.5A SOT-23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 432пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP32D4S-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 0.3A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2.4 Ом Мощность макс.: 370мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 51.16пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DN3135K1-G Полевой транзистор N-канальный 350В 0.072A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 350В Ток стока макс.: 72мА(Tj) Сопротивление открытого канала: 35 Ом @ 150mА, 0В Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 120пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDN302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 882пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN304P Транзистор полевой P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1312пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN304PZ Транзистор полевой P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1138пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN308P Транзистор полевой P-канальный 20В 1.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 341пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN327N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6.3нКл Входная емкость: 423пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN335N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-SSOT Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN336P Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN337N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN338P Транзистор полевой P-канальный 20В 1.6А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 451пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 166 шт

Цена от:

от 2,92₽

FDN339AN Транзистор полевой N-канальный 20В 3А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN340P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2 А, 0,5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 779пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN342P Транзистор полевой P-канальный 20В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 635пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"