Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (373)

FDS86252 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 955пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8638 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 5680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8672S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8690 Транзистор полевой N-канальный 30В 14А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8813NZ Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 4145пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8817NZ Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8840NZ Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 18.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18.6A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 144нКл Входная емкость: 7535пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8842NZ Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 14.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14.9A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 3845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4615пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8878 Транзистор полевой N-канальный 30В 10.2А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8N Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1235пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 635пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8896 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS9431A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS9435A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.3А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 528пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3717PBF Транзистор полевой N-канальный 20В 20А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 2890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3717TRPBF Полевой транзистор N-канальный 20В 20A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A(Ta) Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В @ 250 µA Заряд затвора: 33нКл @ 4.5В Входная емкость: 2890пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF6201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 2.45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 8555пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6201TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A 2,5Вт 0,00245Ом SO8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 27A(Ta) Сопротивление открытого канала: 2.45 мОм @ 27А, 4.5В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В @ 100 µA Заряд затвора: 195нКл @ 4.5В Входная емкость: 8555пФ @ 16В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF6216PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.2A 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 569 шт

Цена от:

от 44,88₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"