Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (373)
AO4425 Полевой транзистор P-канальный 38В 14A 8-Pin SOIC Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 38В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount
AO4435 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10.5А 2Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
25 677 шт
Цена от:
от 7,16
AO4447A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 17A 8-SOIC Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A(Ta) Сопротивление открытого канала: 7 мОм @ 17А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.6В @ 250 µA Заряд затвора: 105нКл @ 10В Входная емкость: 5500пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AO4459 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6.5A 8SOIC Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A(Ta) Сопротивление открытого канала: 46 мОм @ 6.5А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 16нКл @ 10В Входная емкость: 830пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AO4468 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6А Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
AO4498 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 44.5нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount
AO4832 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A 8-Pin SOIC Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7309QTR Транзистор полевой N/P-канальный 30В 4A/3A Aвтомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A/3A Тип транзистора: N/P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7313QTR Транзистор полевой N-канальный 30В 6.9A Aвтомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.9A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
CSD88537NDT Полевой транзистор, 2N-канальный, 60 В, 15 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
DMC3025LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 6.5 А/4.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5А/4.2 А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
DMG4413LSS-13 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 10.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 4965пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG4435SSS-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 7.3A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 35.4нКл Входная емкость: 1614пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG4800LSD-13 Транзистор полевой N-канальный 30В 7.5A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
DMG4822SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 10 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
DMP2022LSS-13 Транзистор полевой P-канальный 20В 10A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 56.9нКл Входная емкость: 2444пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP2066LSS-13 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8
DMP3020LSS-13 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30.7нКл Входная емкость: 1802пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3056LSD-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 6.9A Aвтомобильного применения 8-Pin SOP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.9A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
DMP4050SSS-13 Транзистор полевой P-канальный 40В 4.4A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.9нКл Входная емкость: 674пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"