Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (373)
IRF7413TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 79нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
5 411 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 37,58
Акция IRF7413ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1210пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 533 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 38,22
IRF7425TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 7980пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
571 шт

Под заказ:
500 шт
Цена от:
от 75,90
Акция IRF7452TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A, 2.5Вт 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
49 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 270,06
Акция IRF7455TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A(Ta) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 56нКл @ 5В Входная емкость: 3480пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
372 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 99,50
Акция IRF7465TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.9A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 331 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 40,27
IRF7468TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9.4A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 15.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 2460пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
401 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 106,15
Акция IRF7478TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1740пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
382 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 91,78
Акция IRF7492TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 79 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
454 шт

Под заказ:
5 000 шт
Цена от:
от 51,22
IRF7495TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1530пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 343 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 70,67
Акция IRF7807ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
446 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 38,51
IRF7815TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1647пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 004 шт

Под заказ:
965 шт
Цена от:
от 69,48
IRF7820TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 500 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 82,67
Акция IRF7821TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 9.1 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 424 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,79
Акция IRF7822TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
930 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 53,49
IRF7828TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.6A 8-SO Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 200 шт
Цена от:
от 37,69
IRF7832TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.32В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 4310пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 807 шт

Под заказ:
775 шт
Цена от:
от 42,37
IRF7853TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 8.3А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 39нКл @ 10В Входная емкость: 1640пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 024 шт

Под заказ:
8 000 шт
Цена от:
от 59,07
IRF7862TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 4090пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
545 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 59,60
IRF7907TRPBF Сборка двух N-канальных полевых транзисторов 30V 9.1A/11A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.1A,11A Сопротивление открытого канала: 16.4 мОм @ 9.1А, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 044 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 107,54
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.665 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"