Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
STN4438
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8А
Тип транзистора: N-канальный
STS11NF30L
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1440пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS1NK60Z
Транзистор полевой N-канальный 600В 0.25A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 250мА
Сопротивление открытого канала: 15 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 6.9нКл
Входная емкость: 94пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS3P6F6
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 3 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 3А
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: P-канальный
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 6.4нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS5NF60L
Транзистор полевой N-канальный 60В 5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 55 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 1250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS6NF20V
Транзистор полевой N-канальный 20В 6A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ
Заряд затвора: 11.5нКл
Входная емкость: 460пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS7NF60L
Полевой транзистор N-канальный 60В 7.5A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм @ 3.5А, 10В
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA
Заряд затвора: 34нКл @ 4.5В
Входная емкость: 1700пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
STS7PF30L
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 21 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 7нКл
Входная емкость: 2600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS8DN3LLH5
Полевой транзистор N-канальный 30В 10A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 10A
Тип транзистора: N-канал
TPC8037H
Транзистор полевой N-канальный 30В 12А 1.9Вт (рекомендуемая замена: TP89R103NL, TPC8065-H, TPC8064-H)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 12A
Мощность макс.: 1.9Вт
Тип транзистора: N-канал
TPC8116H
Транзистор полевой P-канальный 40В 7.5А 1.9Вт
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: SO-8
TPS1100D
Транзистор полевой P-канальный 15В 1.6A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 15В
Ток стока макс.: 1.6A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 791мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 5.45нКл
Тип монтажа: Surface Mount
ZXM66P03N8TA
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7.9 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 6.25A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 1.56Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 1979пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.665 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.