Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (373)
SI4825DDY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 14.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.9A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 2550пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4835DDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 13A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 5.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4835DDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 13A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 5.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4838BDY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 12 В, 34 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 5760пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4840BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 19A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4840BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 19A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4842BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 28A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 6.25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 3650пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4848DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount
Акция SI4848DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4850EY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4850EY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4874BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 3230пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4894BDY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1580пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4896DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 6.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI9407BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI9433BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 4.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI9435BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI9435BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Тип монтажа: Surface Mount
Акция SIDR680DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"