Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (373)
SI4434DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4435DDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11.4A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция SI4435DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11.4А 5Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4435DYTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8
SI4436DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4442DY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 40В 7.2A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4447ADY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 7.2A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 970пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4459ADY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 29A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4463BDY-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 9.8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 9.8A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 56нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4463CDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 13.6A 8-Pin SOIC N лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.6A Тип транзистора: P-канал Тип монтажа: Surface Mount
SI4464DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4464DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4477DY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 26.6 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 26.6A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 6.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4485DY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4488DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3.5A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 36нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4490DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.85 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.85A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4490DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.85 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.85A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4686DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18.2 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18.2A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 5.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4800BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 18.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 13нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4800BDY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 18.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 13нКл Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"