Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
SI4164DY-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 30В 30A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм
Мощность макс.: 6Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 3545пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4166DY-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 30.5 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 30.5A
Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм
Мощность макс.: 6.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 2730пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4174DY-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 30В 17A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм
Мощность макс.: 5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 985пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4178DY-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A
Производитель: Vishay
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 21 мОм
Мощность макс.: 5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 405пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4186DY-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 20В 35.8A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 35.8A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 6Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Заряд затвора: 90нКл
Входная емкость: 3630пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4190ADY-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 18.4A
Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм
Мощность макс.: 6Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 67нКл
Входная емкость: 1970пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4386DY-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 1.47Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 18нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI4401BDY-T1-E3
Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 8.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 8.7A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 55нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI4401BDY-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 8.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 8.7A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 55нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI4401DDY-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16.1А 6.3Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 16.1A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 6.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 3007пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4403CDY-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 13.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 13.4A
Сопротивление открытого канала: 15.5 мОм
Мощность макс.: 5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 90нКл
Входная емкость: 2380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4410DYTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A 8-SOIC
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
SI4420BDY-T1-E3
Транзистор полевой N-канальный 30В 9.5A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 9.5A
Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм
Мощность макс.: 1.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 50нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI4421DY-T1-E3
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 8.75 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ
Заряд затвора: 125нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI4425BDY-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8A
Производитель: Vishay
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 8.8A
Сопротивление открытого канала: 12 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 100нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI4425BDY-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 8.8 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
SI4425DDY-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 19.7А 5.7Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 19.7A
Сопротивление открытого канала: 9.8 мОм
Мощность макс.: 5.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 80нКл
Входная емкость: 2610пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4431BDY-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 30В 5.7A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5.7A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 20нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI4431CDY-T1-GE3
Транзистор полевой P-канальный 30В 9A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 32 мОм
Мощность макс.: 4.2Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1006пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4434DY-T1-E3
Транзистор полевой N-канальный 250В 2.1A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 2.1A
Сопротивление открытого канала: 155 мОм
Мощность макс.: 1.56Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 50нКл
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.