Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
PSMN006-20K
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 32A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 32А
Тип транзистора: N-канальный
RSS065N06
Транзистор полевой N-канальный 60В 6.5А 2Вт
Производитель: ROHM
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 6.5A
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
SI4056DY-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.1А 2.5Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 11.1A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 5.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 29.5нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4090DY-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 19.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 19.7A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 7.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В
Заряд затвора: 69нКл
Входная емкость: 2410пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4100DY-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 6.8A
Сопротивление открытого канала: 63 мОм
Мощность макс.: 6Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4100DY-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 6.8A
Сопротивление открытого канала: 63 мОм
Мощность макс.: 6Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4114DY-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 20 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
SI4114DY-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 20В 20A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 6 мОм
Мощность макс.: 5.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 3700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4116DY-T1-E3
Транзистор полевой N-канальный 25В 18A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 8.6 мОм
Мощность макс.: 5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 1925пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4116DY-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 25В 18A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 8.6 мОм
Мощность макс.: 5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 1925пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4122DY-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 27.2 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 27.2A
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
Мощность макс.: 6Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 4200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4124DY-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 20.5 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 20.5A
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм
Мощность макс.: 5.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 77нКл
Входная емкость: 3540пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4124DY-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 20.5 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 20.5A
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм
Мощность макс.: 5.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 77нКл
Входная емкость: 3540пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4126DY-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 39 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 39A
Сопротивление открытого канала: 2.75 мОм
Мощность макс.: 7.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 105нКл
Входная емкость: 4405пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4128DY-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 10.9 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 10.9A
Сопротивление открытого канала: 24 мОм
Мощность макс.: 5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 435пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4134DY-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 30В 14A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 846пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4136DY-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 46 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 46A
Сопротивление открытого канала: 2 мОм
Мощность макс.: 7.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 4560пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4154DY-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 40В 36A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 36A
Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм
Мощность макс.: 7.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 105нКл
Входная емкость: 4230пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4160DY-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 25.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 25.4A
Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм
Мощность макс.: 5.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Заряд затвора: 54нКл
Входная емкость: 2071пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4162DY-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 30В 19.3A
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 19.3A
Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм
Мощность макс.: 5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1155пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.