Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (373)

IRF7476TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 15A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 15A(Ta) Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 15А, 4.5В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В @ 250 µA Заряд затвора: 40нКл @ 4.5В Входная емкость: 2550пФ @ 6В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7478PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1740пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

383 шт.

Цена от:

от 92,70₽

IRF7488TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 6.3 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7490PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5.4 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7490TRPBF Полевой транзистор N-канальный 100В 5.4A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7492PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 79 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 454 шт

Цена от:

от 51,73₽

IRF7493PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.2А 2.5Вт, 0.015 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

21 647 шт

Цена от:

от 58,00₽

Акция

IRF7495PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1530пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 343 шт

Цена от:

от 71,38₽

Акция

IRF7805PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 13А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 31нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7805TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 31нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7805ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A(Ta) Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA Заряд затвора: 27нКл @ 4.5В Входная емкость: 2080пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807APBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.3 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 8.3A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807VD1PBF Полевой транзистор N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 14нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807VTRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 8.3A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 14нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7809AVPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 13.3А 2.5Вт, 0.007 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.3A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3780пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 112 шт

Цена от:

от 95,32₽

Акция

IRF7811AVPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 10.8A 2,5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1801пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

1 540 шт.

Цена от:

от 117,15₽

Акция

IRF7815PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1647пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 969 шт

Цена от:

от 70,14₽

Акция

IRF7820PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 500 шт

Цена от:

от 83,50₽

Акция

IRF7821PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 18А 3.1Вт, 0.005 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 9.1 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 424 шт

Цена от:

от 55,31₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"