Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
SI7135DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 250нКл
Входная емкость: 8650пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7145DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 413нКл
Входная емкость: 15660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Si7434ADP-T1-RE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250 В 12.3A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
SI7461DP-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.6A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8.6A
Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм
Мощность макс.: 1.9Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 190нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7461DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.6A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8.6A
Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм
Мощность макс.: 1.9Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 190нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7465DP-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 60В 3.2A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 64 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 40нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7465DP-T1-GE3
Транзистор полевой P-канальный 60В 3.2A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 64 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 40нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7469DP-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 4700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7469DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 4700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7489DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 41 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 4600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7850DP-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 1.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 27нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7850DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 1.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 27нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SIR426DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм
Мощность макс.: 41.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 1160пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.