Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
61
Корпус:
Power56
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (61)
FDMS86105
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В POWER56
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86150
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
4.85 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
4065пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86152
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
3370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86200
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
9.6A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2715пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86200DC
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 9.3A POWER 56
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
9.3A(Ta),28A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
17 мОм @ 9.3А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
42нКл @ 10В
Входная емкость:
2955пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86201
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
120В
Ток стока макс.:
11.6A
Сопротивление открытого канала:
11.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2735пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS8622
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.8A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86250
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 6.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
2330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86252
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
51 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86263P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
53 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
3905пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86300
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
7082пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86300DC
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
101нКл
Входная емкость:
7005пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDMS86350ET80
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
10680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86500DC
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
7680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86500L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 25A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
165нКл
Входная емкость:
12530пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86520
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A 8-PQFN
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
14A(Ta),42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.4 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
40нКл @ 10В
Входная емкость:
2850пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86520L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
4615пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86550
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8MLP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
32A(Ta),155A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.65 мОм @ 32А, 10В
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
154нКл @ 10В
Входная емкость:
11530пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS8670S
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS8680
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A POWER56
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A(Ta),35A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
26нКл @ 10В
Входная емкость:
1590пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70312 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара