Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (832)
WMO03N80M3 WMO03N80M3
Производитель:
Wayon
Корпус:
DPAK/TO-252AA
ZXMN10A09KTC ZXMN10A09KTC Транзистор полевой N-канальный 100В 5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
2.15Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1313пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A11KTC ZXMN10A11KTC Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.4 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2.11Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.4нКл
Входная емкость:
274пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Новинка
ZXMN10A25K ZXMN10A25K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.2A
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Новинка
ZXMN15A27K ZXMN15A27K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.55A
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.55А
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Новинка
ZXMN20A28K ZXMN20A28K
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
DPAK/TO-252AA
ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Транзистор полевой N-канальный 200В 1.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
2.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
8.1нКл
Входная емкость:
358пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN4A06KTC ZXMN4A06KTC Транзистор полевой N-канальный 40В 7.2A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
2.15Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.1нКл
Входная емкость:
827пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Транзистор полевой N-канальный 60В 5.36A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.36A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
2.12Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.8нКл
Входная емкость:
459пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A25KTC ZXMN6A25KTC Транзистор полевой N-канальный 60В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
2.11Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20.4нКл
Входная емкость:
1063пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP10A18KTC ZXMP10A18KTC Полевой транзистор P-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
2.17Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26.9нКл
Входная емкость:
1055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A16KTC ZXMP6A16KTC Транзистор полевой P-канальный 60В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
2.11Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24.2нКл
Входная емкость:
1021пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"