Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (823)

SUD40N08-16-E3 Транзистор полевой N-канальный 80В 40A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD45P03-09-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 45 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

SUD50N03-06AP-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 90A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SUD50N04-8M8P-4GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 48.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50N06-09L-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 136Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P04-08-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 8.1 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 159нКл Входная емкость: 5380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P04-09L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P06-15-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 4950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P06-15L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 4950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P08-25L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 25.2 мОм Мощность макс.: 136Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P10-43L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 37.1 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 37.1A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 136Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

WMO080N10LG2 Производитель: Wayon Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

ZXMN10A09KTC Транзистор полевой N-канальный 100В 5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 2.15Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1313пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A11KTC Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2.11Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 274пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

ZXMN10A25K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.2A Производитель: Hottech Co. Ltd Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.2А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Связаться с инженером по применению

Новинка

ZXMN15A27K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.55A Производитель: Hottech Co. Ltd Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.55А Тип транзистора: N-канальный Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Связаться с инженером по применению

Новинка

ZXMN20A28K Производитель: Hottech Co. Ltd Корпус: DPAK/TO-252AA

Связаться с инженером по применению

ZXMN20B28KTC Транзистор полевой N-канальный 200В 1.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 2.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 8.1нКл Входная емкость: 358пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN4A06KTC Транзистор полевой N-канальный 40В 7.2A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 2.15Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17.1нКл Входная емкость: 827пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A08KTC Транзистор полевой N-канальный 60В 5.36A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.36A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 2.12Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5.8нКл Входная емкость: 459пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"