Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (823)
SIHD6N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 7 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 820пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIHFRC20TR-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
SPD15P10PLGBTMA1 Транзистор полевой P-канальный 100В 15A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
SQD50N05-11L-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 2106пФ Тип монтажа: Surface Mount
SQD50P08-25L_GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 80 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 50А Мощность макс.: 136Вт Тип транзистора: P-канальный
STD100N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4369пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD10N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD10NM50N Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 630 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD10P6F6 Транзистор полевой P-канальный 60В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STD10PF06T4 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10А 40Вт, 0.032 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD11N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 9 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD11NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD120N4F6 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD120N4LF6 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD12N65M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
STD12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD12NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD12NF06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD13N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 580пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD13NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 109Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24.5нКл Входная емкость: 845пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"