Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IXTY1R6N50D2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 1.6A DPAK
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 1.6A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом @ 800mА, 0В
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Depletion Mode
Заряд затвора: 23.7нКл @ 5В
Входная емкость: 645пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
JMGK540P10A
Транзистор полевой MOSFET силовой 100В 35A 52мОм P-канальный
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 35А
Сопротивление открытого канала: 52мОм
Тип транзистора: P-канальный
JMPL1025AK
Транзистор полевой MOSFET силовой 100В 46A 22мОм P-канальный
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 46А
Сопротивление открытого канала: 22мОм
Тип транзистора: P-канальный
JMPL1025AK-13
Транзистор полевой MOSFET силовой 100В 46A 22мОм P-канальный
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 46А
Сопротивление открытого канала: 22мОм
Тип транзистора: P-канальный
JMSL0402AKQ
Транзистор полевой MOSFET силовой 40В 211A 1.9мОм N-канальный
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 211А
Сопротивление открытого канала: 1.9мОм
Тип транзистора: N-канальный
JMTK170N10A
Транзистор полевой MOSFET силовой N-канальный 100В 59A 20Ом
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 59А
Сопротивление открытого канала: 20Ом
Тип транзистора: N-канальный
JMTK3003A
Транзистор полевой MOSFET силовой N-канальный 30В 150A 3.4мОм
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 150А
Сопротивление открытого канала: 3.4мОм
Тип транзистора: N-канальный
MDD3754
Транзистор полевой P-канальный 40В 24А 41Вт
Производитель: Magna Chip
Корпус: DPAK/TO-252AA
MTD3055V
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
MTD3055VL
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 570пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NCV8403BDTRKG
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 42В 15А 53мОм со встроенной защитой
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 42В
Ток стока макс.: 15А
Сопротивление открытого канала: 53мОм
Тип транзистора: N-канальный
NDD04N60ZT4G
Транзистор полевой N-канальный 600В 4.1A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 4.1A
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NID9N05ACLT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 52В 9A LL DPAK-3
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 52В
Ток стока макс.: 9A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 90 мОм @ 9А, 12В
Мощность макс.: 1.74Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 100 µA
Заряд затвора: 7нКл @ 4.5В
Входная емкость: 250пФ @ 40В
Тип монтажа: Surface Mount
NTD110N02RT4G
Транзистор полевой N-канальный 24В 12.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 24В
Ток стока макс.: 12.5A
Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 28нКл
Входная емкость: 3440пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD14N03RT4G
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 2.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 95 мОм
Мощность макс.: 1.04Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 1.8нКл
Входная емкость: 115пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD18N06LT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 55Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 675пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD20N03L27T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 27 мОм
Мощность макс.: 1.75Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 18.9нКл
Входная емкость: 1260пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD20N06LT4G
Транзистор полевой N-канальный 60В 20A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 48 мОм
Мощность макс.: 1.36Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 990пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD20N06T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 20 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 46 мОм
Мощность макс.: 1.88Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1015пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD20P06LT4G
Транзистор полевой P-канальный 60В 15.5А 65Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.