Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (823)
IRLR3715ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 49 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 49A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.55В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 810пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLR3717TRPBF Транзистор полевой N-канальный 20В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 2830пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
124 шт
Цена от:
от 81,25
IRLR3915TRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 1870пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR6225PBF Транзистор полевой 20В 100A 4.0мОм 2.5В Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 100A Тип транзистора: N-канал
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
112 шт.
Цена от:
от 63,64
IRLR7807ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
101 шт
Цена от:
от 54,15
IRLR7821PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 65A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLR7821TRPBF Полевой транзистор N-канальный 30В 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA
Акция IRLR7833PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 140А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 4010пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 448 шт
Цена от:
от 60,66
Акция IRLR7843PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 161A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 4380пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
25 871 шт
Цена от:
от 12,91
IRLR8103VPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 91 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 91A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2672пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8259PBF Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 57 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR8721PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 65 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR8726PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86А 75Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 86A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
43 197 шт
Цена от:
от 14,19
Акция IRLR8729PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8729TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 396 шт
Цена от:
от 8,27
Акция IRLR9343PBF Транзистор полевой P-канальный 55В 20А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
215 шт
Цена от:
от 93,78
IXTY01N100D Полевой транзистор N-канальный 1000В 0.1A TO-252AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1000В (1kВ) Ток стока макс.: 100мА(Tc) Сопротивление открытого канала: 110 Ом @ 50mА, 0В Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 120пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IXTY02N120P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 200MA DPAK Производитель: IXYS Corporation Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 200мА(Tc) Сопротивление открытого канала: 75 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 4.7нКл @ 10В Входная емкость: 104пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IXTY08N100D2 Полевой транзистор N-канальный 1кВ 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: IXYS Corporation Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 800мА Сопротивление открытого канала: 21 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Заряд затвора: 14.6нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"