Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFR110TRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR110TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR1205PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44А 107Вт, 0.027 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 44A
Сопротивление открытого канала: 27 мОм
Мощность макс.: 107Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR1205TR
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: TO-252
IRFR1205TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 44A
Сопротивление открытого канала: 27 мОм
Мощность макс.: 107Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR120NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR120NTR
MOSFET N-CH 100V 9.4A
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR120NTR
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.4A DPAK
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR120PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR120TRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR120TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR120TRRPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR120ZPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 8.7А 35Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 8.7A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 310пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR120ZTRPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 8.7A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 8.7A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 310пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR13N15DPBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 14А 86Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 86Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 620пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR13N20DPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13А 110Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 235 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 830пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR15N20DPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 165 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 910пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR15N20DTRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 165 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 910пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR18N15DPBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 18A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR18N15DTRLP
Транзистор полевой N-канальный 150В 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 18A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.