Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IPD65R225C7ATMA1
Полевой транзистор N-канальный 700В 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 700В
Ток стока макс.: 11A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPD65R420CFDATMA1
Полевой транзистор N-канальный 650В 8.7A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 8.7A
Сопротивление открытого канала: 420 мОм
Мощность макс.: 83.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IPD65R660CFDATMA1
Полевой транзистор N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 660 мОм
Мощность макс.: 62.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 615пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IPD80R1K0CEATMA1
Полевой транзистор N-канальный 800В 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 5.7A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPD80R1K4CEATMA1
Транзистор полевой N-канальный 800В 3.9A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 3.9A
Тип транзистора: N-канал
IPD80R2K0P7ATMA1
Транзистор полевой N-канальный 800В 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 3A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPD90N04S404ATMA1
Полевой транзистор N-канальный 40В 90A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 90A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR014PBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7А 25Вт, 0.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR014TRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR014TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR020TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR024NPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 17А 38Вт, 0.075 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR024NTRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 17 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 75 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 370пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR024PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14А 42Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR024TRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR024TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR1010ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 42A
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 2840пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR1010ZTRLPBF
Полевой транзистор N-канальный 55В 42A DPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 42A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA
Заряд затвора: 95нКл @ 10В
Входная емкость: 2840пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR1018EPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 56A
Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 69нКл
Входная емкость: 2290пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR110PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.8А 25Вт, 0.54 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.