Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (823)

FDD850N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15А 50Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15.7A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 28.9нКл Входная емкость: 1465пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86102LZ Транзистор полевой N-канальный 100В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86110 Транзистор полевой N-канальный 100В 12.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 10.2 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2265пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86250 Транзистор полевой N-канальный 150В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 2110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86252 Транзистор полевой N-канальный 150В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 985пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86326 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8647L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86540 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21.5A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 6340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8778 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А, 14 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8780 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8782 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 160 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 118нКл Входная емкость: 5160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8880 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1260пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 85А 80Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5А 90Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6.5A Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

FDD9407_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 6390пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD9409_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 90 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD10N20CTM Транзистор полевой N-канальный 200В 7.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD10N20LTM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"